如何冷卻GPU的VRAM進行採礦？

了解GPU採礦中的VRAM冷卻

VRAM或視頻隨機訪問存儲器是圖形處理單元（GPU）的關鍵組成部分，該組件存儲用於渲染圖像的數據。在加密貨幣開採的背景下，VRAM在處理諸如Ethash，Kawpow和Progpow之類的挖掘算法所需的大型數據集中起著關鍵作用。由於連續的高負載操作， VRAM可以過熱，這可能會導致性能節流，減少橋樑甚至硬件故障。因此，在採礦過程中保持最佳VRAM溫度至關重要。

為什麼VRAM在採礦期間會過熱

挖掘將VRAM上的讀/寫壓力持續不斷，而不是遊戲或一般計算任務。這種持續的工作量導致記憶芯片產生大量熱量。大多數GPU上的標準冷卻系統針對GPU核心溫度進行了優化，不一定針對VRAM模塊。結果， VRAM通常比GPU自身更熱。

此外，採礦鑽機，灰塵積累和通風不足的氣流不良導致VRAM過熱。一些GPU的VRAM冷卻解決方案尤其是為遊戲而不是連續工作量設計的模型。

監測VRAM溫度

在實施任何冷卻解決方案之前，重要的是監視當前VRAM溫度。 MSI Afterburner ， Hwinfo和GPU-Z等工具允許對內存溫度進行實時跟踪。這些程序提供了詳細的見解，以了解您的VRAM在負載下的熱度。

• 安裝MSI Afterburner並啟用屏幕顯示器（OSD）功能。
• 啟動採礦基准或運行礦工軟件至少15分鐘。
• 觀察實時顯示的VRAM溫度讀數。

如果您的VRAM始終超過90°C ，則需要立即改進以避免長期損壞。

改善氣流和案例通風

冷卻VRAM的最簡單但最有效的方法之一是優化採礦鑽機周圍的氣流。正確的氣流可確保有效排出熱空氣，並吸收涼爽的空氣以保持穩定的溫度。

• 將您的採礦鑽機放置在開放區域，並有足夠的牆壁和其他設備的間隙。
• 用例創建積極的氣流 -在正面和底部安裝進氣風扇，並在後部和頂部安裝排氣風扇。
• 考慮添加PCIE Riser電纜擴展，以垂直或水平遠離主板上的GPU，從而可以在每張卡周圍更好地氣流。
• 使用壓縮空氣或柔軟的刷子定期清潔風扇，散熱器和進氣烤架的灰塵。

這些步驟顯著降低了採礦鑽機內部的環境溫度，間接使VRAM冷卻受益。

升級熱墊和散熱器

許多GPU都配有低質量的熱墊，將VRAM芯片連接到庫存HeatSink。升級這些墊子可以大大改善VRAM模塊的熱量耗散。

• 使用適當的螺絲刀和工具小心地卸下GPU的冷卻器組件。
• 使用異丙醇（90％或更高）和無糊糊的布清除從VRAM芯片和散熱器底座中清除舊的熱糊和粘合殘留物。
• 應用專門為VRAM設計的高質量熱墊，例如T-Global L-BGA或Chomerics T412 。
• 將冷卻器重新固定並在負載下測試新設置。

一些礦工還將小的被動供應鏈接直接連接到VRAM模塊上，以進行額外的冷卻。這些可以購買預製或定制製造。

使用主動VRAM冷卻解決方案

對於極端冷卻需求，可以採用主動VRAM冷卻選項。其中包括直接安裝在VRAM芯片上的微型風扇或為特定GPU型號設計的定制水塊。

• 使用3D打印的支架或拉鍊領帶直接針對VRAM模塊的微小軸向或徑向風扇。
• 確保添加的風扇不會干擾PCIE插槽間距或阻塞電源連接器。
• 通過Molex分離器或專用風扇控制器為風扇供電，以確保RPM一致。

另外，一些高級用戶選擇水冷設置，其中定制水塊覆蓋了整個GPU PCB ，包括VRAM。儘管非常有效，但此方法需要技術專長，並且如果安裝不當，則具有洩漏或短路的風險。

優化BIOS和軟件設置

通過BIOS閃爍或不良調整GPU設置可以通過降低功耗和熱量輸出來幫助降低VRAM溫度。

• 閃爍採礦優化的BIOS，該BIOS限制了動力消耗，同時保持哈希效率。
• 使用MSI燃燒器應用於靶向較低電壓水平的無燃力輪廓，而無需犧牲性能。
• 稍微降低記憶時鐘的速度也可以減少熱量產生，而不會顯著影響採礦效率。

在嘗試修改之前，請務必備份原始的BIOS，並且僅在您對流程感到滿意的情況下繼續進行。

常見問題（常見問題解答）

問：VRAM過熱會導致採礦崩潰或不穩定嗎？答：是的，過度熱的VRAM會導致內存錯誤，哈希底滴和系統不穩定性，尤其是在持續的採礦負載下。

問：我怎麼知道我的VRAM是否正在有效冷卻？答：在採礦過程中，使用MSI燃燒器或Hwinfo監測VRAM溫度。如果溫度保持在85°C以下，則您的冷卻設置可能就足夠了。

問：是否建議使用用於採礦GPU的特定VRAM冷卻套件？答：是的，諸如Noctua，Arctic和Ekwb之類的品牌提供了專門的組件，例如VRAM HeatSinks和量身定制的低調風扇，以增強內存冷卻。

問：可以直接在VRAM芯片上添加額外的風扇安全嗎？答：如果使用安全的安裝和適當的接線正確完成後，添加小風扇直接在VRAM上吹空氣是安全的，可以產生明顯的溫度降低。